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深圳市飞宏伟业电子有限公司
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产品信息
STP4NK60Z , N沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=600 V, 3针 TO-220封装
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典型关断延迟时间 29 ns 典型接通延迟时间 12 ns 典型栅极电荷@Vgs 18.8 nC V @ 10 典型输入电容值@Vds 510 pF V @ 25 安装类型 通孔 宽度 4.6mm 封装类型 TO-220 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm 引脚数目 3 工作温度 -55 °C 功率耗散 70000 mW 栅源电压 ±30 V 漏源电压 600 V 漏源电阻值 2 Ω 连续漏极电流 4 A 工作温度 +150 °C 每片芯片元件数目 1 类别 功率 MOSFET 通道模式 增强 通道类型 N 配置 单 长度 10.4mm 高度 9.1